湖南三安发布首代Trench MOSFET技术平台碳化硅器件性能突破国际水平_资讯

湖南三安发布首代Trench MOSFET技术平台碳化硅器件性能突破国际水平

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2025-08-29 21:48:08

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8月28日，据湖南湘江新区企业湖南三安半导体（简称“湖南三安”）消息，该企业于8月正式推出首代高性能Trench MOSFET技术平台，其关键性能指标显著超越国际先进水平，标志着公司在碳化硅功率器件领域实现重大技术突破。作为覆盖全产业链的第三代半导体企业，湖南三安凭借自主创新与制造优势，进一步巩固其在高端功率器件市场的领先地位。

据悉，此次发布的Trench MOSFET实验批次表现卓越，导通电阻最低达1.75 mΩ·cm²，击穿电压超过1400V，核心静态性能处于行业领先。该突破得益于器件结构及制造工艺的深度优化，显著提升了耐压能力并降低导通损耗。湖南三安已围绕关键技术完成专利布局，为产品迭代与产业化奠定基础，并计划将下一代产品导通电阻再降低20%以上。

依托全产业链自主可控能力，湖南三安实现了从材料到制造封装的全流程质量管控，确保了产品的高一致性与长期可靠性。目前技术平台已通过电性能筛选与可靠性测试，栅氧品质等核心数据表现优异，可满足新能源汽车、光伏逆变器、工业电源等高要求应用场景。

湖南三安相关负责人表示：“未来，湖南三安将持续深化碳化硅技术研发，加速推进第三代半导体在能源转型与高端制造领域的规模化应用。”

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