近日，市场研究机构Counterpoint Research指出，当前行情甚至超越了2018年的高点，供应商议价能力达到历史最高水平。该机构预测，内存价格在2025年第四季度飙升40%-50%的基础上，2026年第一季度还将再涨40%-50%。

本轮存储市场的繁荣被普遍认为是受人工智能从云端向边缘计算延伸的驱动，数据中心对高带宽内存等产品的需求激增，导致供需严重失衡。在此背景下，多家本土存储领域领军企业几乎同步推进了重要的资本规划。

存储芯片厂商兆易创新的港股首次公开募股已于1月8日中午截止公开发售，其公开发售部分获得了市场的热烈追捧，超额认购倍数已超过414倍。该公司计划以每股132至162港元的价格发行股票，预计于1月13日在港交所挂牌。

与此同时，国产DRAM制造商长鑫存储的运营主体长鑫科技已于2025年12月底正式提交上市申请并获得受理。此次IPO计划募集资金高达295亿元，主要用于先进制程研发、扩产及供应链本土化建设。若发行顺利，其有望成为科创板开板以来募资规模第二大的IPO项目。

此外，互联芯片龙头澜起科技于2026年1月初更新了港交所聆讯后资料集，即通过上市聆讯。同时，DRAM设计公司长紫光国芯已于同月5日完成了IPO辅导备案。据供应链消息，国产NAND闪存巨头长江存储也有望在2026年上半年提交IPO申请。

至此，在内存“超级牛市”的行业背景下，从存储芯片设计、制造到核心互连芯片环节，多家本土领军企业正密集推进资本市场计划。这一系列资本动作，共同凸显了国内半导体产业借助当前周期上行窗口，巩固市场地位、加速技术追赶的战略意图。

值得关注的是，尽管全球存储行业维持高景气度，但资本市场走势呈现显著分化。隔夜美股芯片股普遍回调。相比之下，今日A股半导体板块在国产替代与周期复苏逻辑支撑下整体走强，但内存芯片这一细分领域却逆势调整，澜起科技、兆易创新、佰维存储等相关概念股领跌。

封面图片来源：长鑫存储官网